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J-GLOBAL ID：201602001559767380   整理番号：70A0042886

負性抵抗を示すSiダイオードの過渡特性

Переходные характеристики кремниевых диодов с отрицательным сопротивлением.

著者 (3件)： КАПИТОНОВА Л М ,  ЛЕБЕДЕВ А А ,  СУЛТАНОВ Н А
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 6  ページ： 1130-1137  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： ZnとCdをドープして作ったSiダイオードの過渡特性をしらべた。測定は電流振動方式で行ない,不純物の種類がダイオードのスイッチ特性に大きな影響を与えることを示した。このダイオードは.Auをドーブしたダイオードに比べて,長いスイッチとカットオフ時間を持つ。カットオフ時間は主担体の深準位による捕獲で定ま1),室温で10-4-1r5secである;写図7参14

シソーラス用語： カドミウム ,  ダイオード ,  亜鉛 ,  負性抵抗
準シソーラス用語： Si ,  Si中 ,  カドミウム(Si中) ,  シリコン ,  ダイオード(Si) ,  亜鉛(Si中) ,  過渡特性 ,  過渡特性(ダイオード)

タイトルに関連する用語 (4件)： 負性抵抗 ,  Si ,  ダイオード ,  過渡特性