文献
J-GLOBAL ID：201602001596691769   整理番号：60A0007223

薄膜半導体の電気的性質

Electrical properties of thin-film semiconductors.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (2件)：
HAM F S

HAM F S について

, 
MATTIS D C

MATTIS D C について


資料名：
IBM J Res Dev  (IBM Journal of Research and Development)

IBM J Res Dev について


巻： 4  号： 2  ページ： 143-151  発行年： 1960年 
JST資料番号： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
FuchsとSandheimerの金属薄膜の電気的性質についての理論を,だ円体エネルギー面を持つ縮退のない半導体について拡張した。この結果によると半導体薄膜はだ円エネルギー面を持ち,縮退がないと,電気伝導率とホール効果は,結晶方向と薄膜の方向に依存する方向性を持つことになる。この結果は,有効質量テンソルの成分を実験的に定めることができるということを示す。表面の特殊な故乱が金属より,このような半導体で起こりやすいことも示している
タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
薄膜半導体

薄膜半導体 について

, 
電気的性質

電気的性質 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM