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J-GLOBAL ID：201602001601602184   整理番号：70A0250570

GaAsアバランシェダイオードにおける高効率発振

High-efficiency oscillations in gallium-arsenide avalanche diodes.

著者 (1件)： COTTAM M G
資料名： Electron Lett  (Electronics Letters)
巻： 6  号： 3  ページ： 71-73  発行年： 1970年 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アバランシェダイオードにおける高効率発振は最初Siで得られ,その効率は43%であった。このモードにおける発振は通常の走行時間モードのものと異なり,その理論についても最近いくつかのものが出されている。本文では,このTRAPATT解析を回路理論の方からの必要性で補足した。P⁺H-n⁺およびN⁺-P-P⁺構造に対しての設計およびその動作条件を導き,実験結果との比較を行なった。1.6GHzの領域における実験結果とはかなりよい一致を得た;写図2参10

シソーラス用語： アバランシェダイオード
準シソーラス用語： GaAs ,  GaAs(アバランシェダイオード/高効率発振) ,  TRAPATTモード ,  TRAPATTモード(アバランシェダイオード) ,  アパラン ,  アバランシェダイオード(GaAs/高効率発振) ,  エダイオード ,  マイクロ波発振器 ,  マイクロ波発振器(アパラン/エダイオード) ,  高効率発振

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  アバランシェダイオード ,  高効率