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J-GLOBAL ID：201602001610064284   整理番号：61A0015760

閉じられた管の中における蒸気からのGe単結晶の成長

Epitaxial vapor growth of Ge single crystals in a closed-cycle process.

著者 (1件)： MARINACE J G
資料名： IBM J Res Dev  (IBM Journal of Research and Development)
巻： 4  号： 3  ページ： 248-255  発行年： 1960年 
JST資料番号： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 新しい単結晶製作の方法の蒸気からの単精晶成長が述べられる。閉じられた石英管内で原料のGeとI₂が一端に,種となる単結晶が他の一端に配置される。標準的な例としては,原料のGeは550°C種のGeはを400°Cに保たれる。結晶成長の速度は,I₂の濃度,対流の状態などによって異なるが,代表的な例としては1時間約10μ程度である。化学的不純物は引上法等と同程度である。原料に含まれるドナーは,ほぼ同じ比で成長結晶に入る。一方アクセプタはごくわずかしか入らない

タイトルに関連する用語 (4件)： 管 ,  蒸気 ,  Ge ,  単結晶の成長