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J-GLOBAL ID：201602001667127797   整理番号：58A0040448

りん化イノジウム単結晶の製法とある種の性質

Preparation and Some Characteristics of Single-Crystal Indium Phosphide.

著者 (4件)： HARMAN T C ,  GENCO J I ,  ALLRED W P ,  GOERING H L
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 105  号： 12  ページ： 731-735  発行年： 1958年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： りんの精製法,反応原系としてのインジウムとりん,りん化インジウムの直接的再結晶精製法および1つのガラス管中ですべての結晶を大きく作る方法。1×10¹⁷/cm³のキャリヤー濃度である試科は300°Kで電子の移動度が4000cm²/v-secである。光電導の減衰から寿命を側定する方法も検討され,電子濃度10¹⁰/cm³と10¹⁵/cm³の試料の光学的透過特性を述べた

タイトルに関連する用語 (5件)： りん ,  単結晶 ,  製法 ,  種 ,  性質