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文献
J-GLOBAL ID：201602001667127797   整理番号：58A0040448

りん化イノジウム単結晶の製法とある種の性質

Preparation and Some Characteristics of Single-Crystal Indium Phosphide.
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著者 (4件)：
HARMAN T C

HARMAN T C について

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GENCO J I

GENCO J I について

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ALLRED W P

ALLRED W P について

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GOERING H L

GOERING H L について


資料名：
J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)

J Electrochem Soc について


巻： 105  号： 12  ページ： 731-735  発行年： 1958年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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りんの精製法,反応原系としてのインジウムとりん,りん化インジウムの直接的再結晶精製法および1つのガラス管中ですべての結晶を大きく作る方法。1×1017/cm3のキャリヤー濃度である試科は300°Kで電子の移動度が4000cm2/v-secである。光電導の減衰から寿命を側定する方法も検討され,電子濃度1010/cm3と1015/cm3の試料の光学的透過特性を述べた
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りん

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単結晶

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種

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