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J-GLOBAL ID：201602001754029734 整理番号：60A0009193
N形Siにおける赤外線吸収
О поглощении инфракрасного излучения в кремнии с электронной проводимостью.
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著者 (1件)：
ЯКОВЛЕВ В А
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資料名：
Fiz Tverd Tela (Fizika Tverdogo Tela)
Fiz Tverd Tela について
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巻：
2
号：
10
ページ：
2639-2640
発行年：
1960年
JST資料番号：
R0029B
ISSN：
0367-3294
CODEN：
FTVTA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
旧ソビエト連邦 (SUN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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N形Siの2~7μでの吸収は在来の理論には従わない。Вавиловはこれを不純物の効果だとした。しかし吸収は担体濃度に比例しているから,不純物を除いて自由担体の効果として解釈することが必要である
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