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J-GLOBAL ID：201602001782079143 整理番号：60A0101521
カーボランダムと,その高温用整流器への応用
Silicon carbide and its use in high temperature rectifiers.
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著者 (1件)：
CHANG H C
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資料名：
Semicond Prod (Semiconductor Products)
Semicond Prod について
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巻：
3
号：
1
ページ：
29-34
発行年：
1960年
JST資料番号：
E0226A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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エネルギーギヤツプが広いのと,化学的安定性が大きいために.カーボランダムは,高温で使う半導体素子として最もその有用性を認められていると指摘.ここでは,半導体装置を作るのに使える程度の単結晶を作る技術と,500°C位の温摩で動作する成長型p-N接合の試作とについて述べた.ドーフする不純物にはB,Al(P型),N(n型)が選ばれた.整流器の特駐は150v位まで電流の飽和性が保たれ,順方向の電圧降下は500mAで5v程度であった
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