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J-GLOBAL ID：201602001792890125   整理番号：72A0252811

パッシベーション膜の不安定性の機構

A review of instability mechanisms in passivation films.

著者 (1件)： KERR D R
資料名： Annu Proc Int Reliab Phys  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 8  ページ： 1-8  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体素子表面のパッシベーション用の単層絶縁膜および二重絶縁膜構造におけるいろいろな電荷不安定性の機構を解説した。これらの不安定性にはイオン性のドリフト.分極遅い電子トラッピングおよび二重層効果などがある。これらの諸効果のプロセシングバラメータおよび材料パラメータに対する依存性を検討し,これらの不安定性を制御するための技術の現状を述べた。最近の研究でこれらの不安定性の機構については非常によく定量的な説明ができるようになったが,今後はさらに新しい絶縁膜やS似外の半導体のパッシベーション膜の不安定性の研究が必要である;写図17参42

シソーラス用語： カプセル封じ ,  安定性 ,  絶縁被膜 ,  半導体素子
準シソーラス用語： パッシベーション ,  表面効果

タイトルに関連する用語 (2件)： パッシベーション膜 ,  不安定性