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J-GLOBAL ID：201602001961971393   整理番号：71A0034791

非縮退中程度ドープ半導体のイオン化の量子統計としゃへい効果

Quantum statistics of ionization and shielding effects in non-degenerate moderately doped semiconductors.

著者 (1件)： EBELING W
資料名： Phys Status Solidi B  (Physica Status Solidi)
巻： 46  号： 1  ページ： 243-255  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素プラズマモデルにより半導体をドナーおよび電子が一様媒質中に存在する系として考察。熱平衡状態にある水素プラズマの量子統計理論を適用し.活性化エネルギーの低下.特にしゃへい効果を計算。n型Geについてドナー濃度および温度依存性を求めた;写図2参18

シソーラス用語： イオン化 ,  ゲルマニウム
準シソーラス用語： しゃへい効果 ,  水素プラズマ

タイトルに関連する用語 (4件)： 縮退 ,  ドープ ,  イオン化 ,  量子統計