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J-GLOBAL ID：201602002017549014   整理番号：70A0131982

GaSeの転位の化学的エッチング

Chemical etching of dislocations in GaSe.

著者 (1件)： WILLIAMS R H
資料名： Trans Faraday Soc  (Transactions of the Faraday Society)
巻： 66  号： 5  ページ： 1113-1117,1116(2)  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0274A  CODEN： TFSOA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メタノール-臭素溶液によってGaSe単結晶にエッチングを施し,非底面転位を観察した。エッチングの形態と一次底面方向にそったエッチング速度の変化を検討。開裂は〔1010〕方向に起っているが,低いエッチング速度の場合〔1120〕から起っているのがわかった;写図7参32

シソーラス用語： エッチング ,  転位
準シソーラス用語： GaSe ,  GaSe単結晶 ,  エッチング(GaSe) ,  セレン化ガリウム ,  セレン化ガリウム(エッチング) ,  転位(GaSe単結晶)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaSe ,  転位 ,  化学 ,  エッチング