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文献
J-GLOBAL ID：201602002088287681   整理番号：58A0061076

ゲルマニウムとシリコンの高周波用トランジスタ

Les transistors haute frequence au germanium et au silicium.
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著者 (1件)：
DEZOTEUX M

DEZOTEUX M について


資料名：
Rev Gen Electron  (Revue Generale d'Electronique)

Rev Gen Electron について


巻： 1958  号： 144  ページ： 31-37  発行年： 1958年 
JST資料番号： B0456A  CODEN： RGEQA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： フランス (FRA) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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100Mc,前後の高周波用ゲルマニウムおよびシリコントランジスタの理論と実際動作例を,接合形と四極みランジスタにわけて,合金法,引上法,および拡散法などの製法別に,一般的解説を与えた
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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ゲルマニウム

ゲルマニウム について

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シリコン

シリコン について

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高周波

高周波 について

, 
トランジスタ

トランジスタ について


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