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J-GLOBAL ID：201602002112082212   整理番号：71A0037768

補償された半導体における不純物のイオン化エネルギーの局所的なちがいと不純伝導の不均一性

Local differences of the ionization energy of impurities in compensated semiconductors and inbornogeneit y of the impurity conductivity.

著者 (1件)： SIEBERT D
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 5  号： 2  ページ： 415-425  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnSとGaAs単結晶にブロッキング電極をつけて,その容量と損失の周波数依存性を20(セ~10MHzの間で測定した。tanδの周波数依存性はDebye型の分散曲線より拡がっていることが分った。これは試料中の異る部分でのイオン化エネルギーのちがいによるものでこのイオン化エネルギーのちがいは補償された半導体における,ドナーとアクセプタの複雑な相互作用によるものと思われる;写図10参10

シソーラス用語： イオン化ポテンシャル ,  半導体 ,  不純物伝導
準シソーラス用語： GaAs ,  ZnS ,  イオン化エネルギー ,  不純物不均一性

タイトルに関連する用語 (5件)： 補償 ,  不純物 ,  イオン化エネルギー ,  伝導 ,  不均一性