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J-GLOBAL ID：201602002144100603   整理番号：66A0198560

ンヨットキー障壁型ゲート電界効果型トランジスタ

Schottky barrier gate field effect transistor.

著者 (1件)： MEAD C A
資料名： Proc IEEE  (Proceedings of the IRE)
巻： 54  号： 2  ページ： 307-308  発行年： 1966年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： ショットキー障壁の枯渇層のパイァン依存性は表面状態に影響を受けない。また実際の測定値が計算による期待値とよぐ一致する。M OSでの不安定性がないなど多くの利点を持つ。今后広ぐ使用されることになるだろう。半絶縁層としてのGaAs基体上に2.5μ,n型=0.45Ωm,μ=7000cロノ命oltseoのGaAsエピタキシャル層を成長させた。ソースとドレインはSnーTeで第一ム接触を,ゲート懐Alを用いた。ショットキー障壁はpn接合ゲートとしても優秀な点を持つ。枯渇層を狭くするに必要な適当な順バイアスも可能であり,高周波動作に対しの蓄積効果を持たない;図3参2

タイトルに関連する用語 (3件)： 障壁 ,  ゲート ,  電界効果型トランジスタ