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J-GLOBAL ID：201602002290115256   整理番号：71A0045108

N形InPの電流不安定性

Current instabilities in n-InP.

著者 (3件)： GRUBIN H L ,  SHAW M P ,  CONWELL E M
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 18  号： 6  ページ： 211-213  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理論によるとN形InPの回路制御振動は低い陰極境界電場および速度一電場関係の形状に依存する。負性微分伝導度域での計算機計算によると境界電場が高くなると,GaAsとは異なる再サイクル分域が生ずる。この結果は強い拡散効果を考慮しても本質的には変化しない;写図1参10

シソーラス用語： りん化インジウム
準シソーラス用語： InP ,  電流安定性 ,  負性伝導度

タイトルに関連する用語 (2件)： InP ,  不安定性