文献

J-GLOBAL ID：201602002291178570   整理番号：70A0250009

GunnダイオードのためのGaAsの気相からのエピタキシー

Epitaxie en phase vapeur de GaAs pour diodes Gunn.

著者 (2件)： BOUCHER A ,  HOLLAN L
資料名： Onde Electr  (Onde Electrique)
巻： 50  号： 3  ページ： 165-172  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0247A  ISSN： 0030-2430  CODEN： ONELA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： GaへのAsの輸送原理を紹介してから,Asと輸送試液としての塩素を使った方法を簡単に述べ,次に作られた結晶の純度,ドーピング,部分的にエピタキシーについて検討した;写図7表2参12

シソーラス用語： Gunnダイオード
準シソーラス用語： GaAs気相

タイトルに関連する用語 (4件)： Gunnダイオード ,  GaAs ,  気相 ,  エピタキシー