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J-GLOBAL ID：201602002327120050   整理番号：64A0181543

シリコン制御整流器特性定数の温度変化の測定

JZJVJVVZv The temperature variation of the parameters of sili con controlled rectifiers.
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著者 (2件)：
RADERECHT P S

RADERECHT P S について

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HOGARTH C A

HOGARTH C A について


資料名：
J Electron Control  (Journal of Electronics and Control)

J Electron Control について


巻： 1  号： 2  ページ： 145-157  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0287A  CODEN： JELCA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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2つのペース引出し線をもつジジコン制御整流器の特性定数を室温から動作限界温度(140~160°C)までの範囲にわたって測定し,更に同じ温度範囲で2つの等価トランジスタ部の電流増幅率を測定し,温度に依存しないスイッチング条件を見出した。実験結果はトランジスタの理論を用いて説明される;図9表2参6
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シリコン制御整流器

シリコン制御整流器 について

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定数

定数 について

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温度変化

温度変化 について


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