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J-GLOBAL ID：201602002354948826   整理番号：70A0364411

電場の下でのn型InSbの遠赤外サイクロトロン共鳴

著者 (2件)： 岡泰夫 (大阪大(基礎工)) ,  成田信一郎 (大阪大(基礎工))
資料名： J Phys Soc Jpn  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 28  号： 3  ページ： 674-683  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型InSbの不純物バンドの生成の問題を電場の下での遠赤外サイクロトロン共鳴によって研究し,結果を磁場中の抵抗値と比較した.サイクロトロン共鳴の測定結果から,有効ドナー濃度N_D-N_A=1.8×10¹⁴cm^-3の試料については不純物バンドは4.6kOeにおいて伝導帯から明瞭に分離することが判明した:参22

タイトルに関連する用語 (4件)： 電場 ,  InSb ,  遠赤外 ,  サイクロトロン共鳴