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文献
J-GLOBAL ID:201602002391476780   整理番号:58A0027610

成長法でのほう素,アルミニウム,ガリウムおよびインジウムの各窒化物の生成

Herstellung der Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium nach dem Aufwachsverfahren.
著者 (1件):
資料名:
巻: 298  号: 1/2  ページ: 22-33  発行年: 1959年
JST資料番号: E0429A  ISSN: 0044-2313  CODEN: ZAACAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: ドイツ (DEU) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Van Arkel-De Boer法で粗結晶状で合成できる。各窒化物は耐薬品性が非常に強い半導体である。電導率はBN, AlN, GaN,InNの順に大きくなる。生成法と物理的,化学的性質

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