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J-GLOBAL ID：201602002391476780   整理番号：58A0027610

成長法でのほう素,アルミニウム,ガリウムおよびインジウムの各窒化物の生成

Herstellung der Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium nach dem Aufwachsverfahren.

著者 (1件)： RENNER T
資料名： Z Anorg Allg Chem  (Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie)
巻： 298  号： 1/2  ページ： 22-33  発行年： 1959年 
JST資料番号： E0429A  ISSN： 0044-2313  CODEN： ZAACAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU) 

抄録/ポイント： Van Arkel-De Boer法で粗結晶状で合成できる。各窒化物は耐薬品性が非常に強い半導体である。電導率はBN, AlN, GaN,InNの順に大きくなる。生成法と物理的,化学的性質

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  ほう素 ,  アルミニウム ,  ガリウム ,  インジウム ,  窒化物