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J-GLOBAL ID：201602002395883488   整理番号：62A0008882

けい素,ゲルマニウムおよびいくつかの〓-V化合物における圧力で誘発された相転移

Pressure induced phase transitions in silicon, germanium and some III-V compounds.

著者 (2件)： MINOMURA S ,  DRICKAMER H G
資料名： Phys Chem Solid  (Physics and Chemistry of Solid)
巻： 23  号： 4  ページ： 451-456  発行年： 1962年 
JST資料番号： C0202A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： けい素(195-200kbar),ゲルマニウム(120-125kbar),GaAs(245-250kbar,275-280kbar),GaSb(80-100kbar),InAs(100kbar),InP(125-130kbar),AISb(115-125kbar)等で,圧力による伝導状態への相転移がみられた。GaPでは550kbarsまでの範囲で転移は起らなかった。はっきりとはわからぬが,この転移はすべて固体-固体転移で。恐らくは金属状態へのそれと思われる。GaAsでは,第1の転移は金属液体への融解,第2のは液体の凝固であると仮定した

タイトルに関連する用語 (4件)： けい素 ,  ゲルマニウム ,  誘発 ,  相転移