文献
J-GLOBAL ID：201602002638694441 整理番号：73A0046473
Ge-Si合金におけるラマン散乱
Raman scattering in Ge-Si alloys.
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著者 (1件)：
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資料名：
Solid State Commun (Solid State Communications)
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巻：
12
号：
4
ページ：
253-257
発行年：
1973年
JST資料番号：
H0499A
ISSN：
0038-1098
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
イギリス (GBR)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
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多結晶Ge-Siに対する室温のラマン散乱を成分の関数として観測した。三個の主なピークの周波数と線幅は既報のものと若干くい違いを示している。結果を不純物の局在および共鳴モードの理論の範囲で論じた。小さな散乱ピークと二次散乱スペクトルおよびいくつかの不均一試料における異常なふるまい等も報告し議論した;写図2参12
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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