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J-GLOBAL ID：201602002672043310   整理番号：67A0336631

シリコン中のニッケルの解離拡散とシリコンの自己拡散

著者 (2件)： YOSHIDA M (電通研) ,  SAITO K (電通研)
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 6  号： 5  ページ： 573-581  発行年： 1967年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中でアクセプタとなる電気活性のあるNiの挙動を研究した.ホール係数と電気抵抗の測定から約330°Kにおける伝導バンドの底からのエネルギー準位0.41±0.01eV,溶解度Ns⁰=10²⁶×exp[-(3.1±0.2)/kT]cm^-3,過飽和状態の焼なまし時定数と転位密度の積の逆数1/γn_d=1.3×10^-2exp[-(1.4±0.2)/kT]cm²s^-1を得た.また電気活性のあるNi原子は置換型の位置をしめ,その拡散は空格子点を残して侵入型位置へ移ることによって起こるとこが結論された.またSiの自己拡散定数30exp[-(4.5±0.4)/kT]cm²s^-1を得た:参15

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  ニッケル ,  自己拡散