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J-GLOBAL ID：201602002729599603   整理番号：73A0044604

表面光起電力分光ギヤップの大きい半導体表面の研究への新しい接近

Surface photovoltage spectroscopy. A new approach to the study of high-gap semiconductor surfaces.

著者 (2件)： GATOS H C ,  LAGOWSKI J
資料名： J Vac Sci Technol  (Journal of Vacuum Science & Technology)
巻： 10  号： 1  ページ： 130-135  発行年： 1973年 
JST資料番号： C0789A  ISSN： 0022-5355  CODEN： JVSTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面光起電力分光はバンドギャップより小さいエネルギーの単色光照射による表面状態の光励起デポピュレーションおよびポピュレーションに基づいている。このような遷移およびその過渡現象から,表面状態のエネルギー位置とダイナミックパラメータとを直接決定できる。CdS,ZnO,GaAsの表面にこの方法を適用して好結果を得た。表面光起電力分光に含まれる過程を説明するモデルを展開した;写図5表2参16

シソーラス用語： スペクトロスコピー ,  光起電力 ,  半導体 ,  表面

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面光起電力 ,  分光 ,  半導体表面 ,  研究 ,  接近