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J-GLOBAL ID：201602002741528240   整理番号：71A0123117

p-nオクタチルオキシ安息香酸のスメクチック相の薄膜の透過率に対する交流電場の影響

Влияие переменного алектрического поля на прозрачность тонкого слоя смектической фазы n - ч-октилоксибензойной кислоты.

著者 (4件)： КАПУСТИН А П ,  КУВАТОВ З Х ,  МАМАЕВА Л С ,  ТРОФИМОВ А Н
資料名： Izv Vyssh Uchebn Zaved Fi  (Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenij. Fizika)
巻： 13  号： 9  ページ： 22-26, 25(1)  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0145A  ISSN： 0021-3411  CODEN： IVUFA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： p-nオクチルオキシ安息香酸(固体←99°C-スメクチック液晶←108°C→ネマチック液晶←148°C→等方性液体)のスメクチック相の薄膜(5~11μm)の透過率を交流電場の電圧,周波数(50〓1000)h)の関数として測定した。温度に対する大きなヒステリスが観測された(同じ温度のスメクチック相で,透過率は冷却時の方が加熱時より大きい)。測定結果はドメイン構造の,電場による発生・発達・消1壷によって説明される;写図5表1参6

シソーラス用語： スメクチック相 ,  液晶 ,  透過率
準シソーラス用語： 交流電場

タイトルに関連する用語 (5件)： 安息香酸 ,  スメクチック相 ,  薄膜 ,  透過率 ,  交流電場