抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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100wt.ppm程度のC+O+Nを含むVから電位差拡散によって,浸入型不純物濃度5wtppm以下,抵抗比R
300/R
4.21880以上の純Vを作製し,その格予定数,室温分解変形応力などを求めた;写図3表4参18