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J-GLOBAL ID:201602002755466751   整理番号:74A0033287

直径35mmGaP単結晶の液体カプセル閉込めCzochralski成長

Liquid encapsulated Czochralski growth of 35 mm diameter single crystals of GaP.
著者 (1件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 21-32  発行年: 1973年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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上記成長においては原料融液も溶融B203でおおわれ,育成室の気体圧力は55気圧となり,一般のCzochralski法より複雑である。しかし高周波感応体の一部であるアフタヒーターの使用によって熱応力を減少させ,ひび割れを防ぎ,底の平らなるつぼの併用によって高い品質の結晶が十分な径の制御のもとに得られた。結晶の転位密度は104~105cm-2である;写図17参16
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