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J-GLOBAL ID：201602002770285542   整理番号：71A0031554

コランダム上のゲルマニウム薄膜の晶出

К кристаллизации пленок германия на сапфире.

著者 (5件)： ГУДКОВА Н В ,  ЗЕВЕКЕ Т А ,  МЕДВЕДЕВА Т Н ,  РУБЦОВА Р А ,  СТРИЖЕВА Т Н
資料名： Kristallografiya  (Kristallografiya)
巻： 15  号： 4  ページ： 857-859  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0058A  ISSN： 0023-4761  CODEN： KRISA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： コランダム上のゲルマニウムのエピタクシー晶出特性に対する基板の温度と水素化物濃度の影響を研究した。その厚さに依存した得られるエピタクシー層の電気的性質を調べた。薄層の厚さが増すと一定の程度まで電荷キャリア移動度が増加し,薄膜構造の完全度に影響を及ぼす;写図2表1参9

シソーラス用語： エピタクシー ,  キャリア移動度 ,  ゲルマニウム ,  気相成長 ,  薄膜 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： corundum

タイトルに関連する用語 (4件)： コランダム ,  ゲルマニウム ,  薄膜 ,  晶出