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J-GLOBAL ID：201602002779811689   整理番号：69A0028518

酸化したシリコン表面のP形逆転層における移動度,表面状態密度および雑音に対する結晶方位の効果

著者 (3件)： SATO T ,  TAKEISHI Y ,  HARA H
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 8  号： 5  ページ： 588-598  発行年： 1969年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： <011>と〈001>領域で種ぐの結晶方位をもつP-チャネルMOSトランジスタの表面状態密度Nas,1/f型等価雑音電圧V,および電場効果移動度μfeの異方性を実験的に調べた。V,とN,,の大きさの間には強い相関があり.面の方位が(811)付近の時両方とも最小になる。表面に垂直な強い電場があるときのμ,,はN,,とはっきりした相関はなく.各表面内での電流方向に強く依存する。この移動度の異方性は正孔運動の量子化による有効質量の異方性によって理解される;写図12表2参18

シソーラス用語： 異方性
準シソーラス用語： P形逆転層 ,  P形逆転層(Si表面) ,  Si表面 ,  シリコン ,  異方性(表面移動度) ,  表面移動度 ,  表面状態密度

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化 ,  シリコン ,  逆転層 ,  移動度 ,  状態密度 ,  雑音 ,  結晶方位