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J-GLOBAL ID：201602002803504288   整理番号：65A0006242

SnTeの基礎吸収端

Fundamental absorption edge of tin telluride.

著者 (4件)： BYLANDER E G ,  DIXON J R ,  RIEDL H R ,  SCHOOLAR R B
資料名： Phys Rev Part A  (Physical Review. Part A)
巻： 138  号： 3A  ページ： A864-A865  発行年： 1965年 
JST資料番号： D0323A  CODEN： PRVAA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： carrier濃度が1×10²⁰cm^-3の単結晶P型SnTe膜について0.2~0.7eVにわたり室温で赤外の透過および反射を測定した。吸収スペクトルは,0.5eV附近から鋭い吸収端がはじまり,高エネルギーにのびている.これは価電子帯と伝導帯間の直接の遷移によるものである.また0.5eV以下にも吸収があをが,これは自由キャリアによるものである;図1参12

タイトルに関連する用語 (3件)： SnTe ,  基礎 ,  吸収端