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J-GLOBAL ID：201602002804993487   整理番号：66A0201759

MOS形電界効果トランジスタ I

Der MOS-Feldeffekttransistor - MOSFET.

著者 (2件)： SAGER D ,  MUELLER R
資料名： Radio Ferns  (Radio und Fernsehen)
巻： 14  号： 21  ページ： 643-646  発行年： 1965年 
JST資料番号： E0083A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 東ドイツ (DDR) 

抄録/ポイント： その構造にはデプレッション形とエンハンスメント形があり,CdS,CdSe,GaAsなどいろいろな半導体材料が用いられるが,現在はSiが主である。この構造と製造工程をのべ,動作機構を定性的に解説し,主な特性について理論的に考察した。相互コンダクタンス,入力抵抗,出力抵抗,周波数特性,最大ドレーン電圧,電圧増幅率についてのべ,周波数特性は入力容量できまるが,最近では,300Mcのものが得られており,雑音指数は100Mcで3dB以下,入力抵抗は10¹⁴Ω以上の特性をもつことを報告している。酸化膜の下のイオンの動き,特性のドリフトについても検討した;図7

タイトルに関連する用語 (1件)： MOS形電界効果トランジスタ