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J-GLOBAL ID：201602002830184104   整理番号：74A0043699

励起子光吸収のフォノン側帯

Phonon side-bands in the exciton absorption.

著者 (1件)： SAK J
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 525-529  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： °C字フオノン放出を伴なう1s励起子の光遷移によって誘電関数の励起r効果は低エネルギー側で強められ,高Yネルギ-側のEは減少する。新しい束縛状態が現れうる。光学フォノン放出の臨界エネルご-で2つのファン0ホープ特異性の合成による特異性が現れる。電子一正孔間クーロン相互作用を考慮すると,6zはここでこう配がaとなり,低エネルギー側に山がある;写図2参15

シソーラス用語： 光吸収 ,  励起子
準シソーラス用語： フォノン側帯

タイトルに関連する用語 (3件)： 励起子 ,  光吸収 ,  フォノン