文献
J-GLOBAL ID:201602002878878655   整理番号:68A0019745

β-Fee Si2の電気伝導の機構

Mechanism of electrical conduction inpFeSi
著者 (2件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: 413-425  発行年: 1968年 
JST資料番号: C0599A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 東ドイツ (DDR) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Co(N形)およびAl(P形)をドープしたβFeSiの電気伝導度,熱電能,ホール係数を100~120°Kで測定した。N形FeSi2の伝導度は指数関数的に温度に依存する。熱電能の温度依存性はあるバンド内の伝導では解釈できない。N形FeSi2内の伝導は小さなポーラロンによって起ると仮定すると,室温での移動度はμn=0.26cm2/Vsである。移動度の励起エネルギーは0.06eV,状態密度はN=1.2×1022cm-3である。P-FeSi2の電気的性質は不純物伝道領域でT-1/2で変化するホール移動度μp〓2cm2/Vsをもつバンドモデルにより解釈できる。固有伝導から0.9~1.0eVのバンドギャップが結論できる。高温における熱電能の消失は1200°Kにおける半導体から金属への遷移に関係している;写図14表2参23
タイトルに関連する用語 (1件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る