抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Co(N形)およびAl(P形)をドープしたβFeSiの電気伝導度,熱電能,ホール係数を100~120°Kで測定した。N形FeSi
2の伝導度は指数関数的に温度に依存する。熱電能の温度依存性はあるバンド内の伝導では解釈できない。N形FeSi
2内の伝導は小さなポーラロンによって起ると仮定すると,室温での移動度はμ
n=0.26cm
2/Vsである。移動度の励起エネルギーは0.06eV,状態密度はN=1.2×10
22cm
-3である。P-FeSi
2の電気的性質は不純物伝道領域でT
-1/2で変化するホール移動度μ
p〓2cm
2/Vsをもつバンドモデルにより解釈できる。固有伝導から0.9~1.0eVのバンドギャップが結論できる。高温における熱電能の消失は1200°Kにおける半導体から金属への遷移に関係している;写図14表2参23