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J-GLOBAL ID：201602002878878655   整理番号：68A0019745

β-Fee Si2の電気伝導の機構

Mechanism of electrical conduction inpFeSi
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著者 (2件)：
BIRKHOLZ U

BIRKHOLZ U について

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SCHELM J

SCHELM J について


資料名：
Phys Status Solidi  (Physica Status Solidi)

Phys Status Solidi について


巻： 27  号： 1  ページ： 413-425  発行年： 1968年 
JST資料番号： C0599A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 東ドイツ (DDR) 
抄録/ポイント：
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Co(N形)およびAl(P形)をドープしたβFeSiの電気伝導度,熱電能,ホール係数を100~120°Kで測定した。N形FeSi2の伝導度は指数関数的に温度に依存する。熱電能の温度依存性はあるバンド内の伝導では解釈できない。N形FeSi2内の伝導は小さなポーラロンによって起ると仮定すると,室温での移動度はμn=0.26cm2/Vsである。移動度の励起エネルギーは0.06eV,状態密度はN=1.2×1022cm-3である。P-FeSi2の電気的性質は不純物伝道領域でT-1/2で変化するホール移動度μp〓2cm2/Vsをもつバンドモデルにより解釈できる。固有伝導から0.9~1.0eVのバンドギャップが結論できる。高温における熱電能の消失は1200°Kにおける半導体から金属への遷移に関係している;写図14表2参23
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電気伝導

電気伝導 について


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