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J-GLOBAL ID：201602002919911654   整理番号：71A0020753

Siの禁制(222)反射の非調和性と温度依存性

Anharmonicity and the temperature dependence of the forbidden (222) reflection in silicon.

著者 (2件)： ROBERTO J B ,  BATTERMAN B W
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 2  号： 8  ページ： 3220-3227  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 禁制反射の積分強度を4-900Kで測定した。(222)強度は室温では主に共有結合で生じた荷電非対称性に起因する。しかし温度変化は結合手振動と原子運動の非調和項の組合せと考えられる。共有結合の熱運動は殻内電子のそれとは異なると思われる。(222)の絶対強度からF(222)=1.46±0.04を得る;写図5参23

シソーラス用語： X線回折 ,  温度依存性
準シソーラス用語： シリコン ,  荷電非対称性 ,  共有結合 ,  禁制反射

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  非調和性 ,  温度依存性