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J-GLOBAL ID：201602002938128120 整理番号：66A0207558
超伝導連続薄膜記憶の実験的および理論的な局面
Experimental and theoretical aspects of the superconrducting continuous film store.
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資料名：
IEEE Trans Magn (IEEE Transactions on Magnetics)
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巻：
1
号：
4
ページ：
363-368
発行年：
1965年
JST資料番号：
A0339B
ISSN：
0018-9464
CODEN：
IEMGAQ
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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駆動線が直交ではなくてインラインであるような記憶方式のスイッチ特性を,まず理想的なモデルについて理論的に解析したのち,この方式をBurnsなどによって最初に提案された直交方式と実験的に比較した。温度,薄膜の厚さ,純度,駆動線の巾などを色々に変化させて,種のの妨害パルス系列に対するスイッチ特性を考察した結果,約1000Aの厚さの錫薄膜が記憶素子として最も良く,またインライン方式は妨害パルスに対する許容度に対して特にすぐれていることなどがわかった。最後にこの方式を用いての新しい記憶マトリクスを提案している;図8表1参5
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