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J-GLOBAL ID：201602002974585570   整理番号：64A0180101

ダイオードの特性表示のための新しいマイクロ波測定法とゼロバイアスでしゃ断周波数800Gcのバラクタ

A new microwave measurement technique to charac-terize diodes and an 800-Gc cutoff frequency varac-tor at zero volts bias.

著者 (1件)： DELOACH B C
資料名： IEEE Trans Microw Theory  (IRE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： MTT-12  号： 1  ページ： 15-20  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： ダイオードの等価回路がLCRの直列接続で表わされる領域について,透過電力の測定のみによってこれらの定数を決定する方法について述べた。Xバンドでバラクタの実測を行ない,この方法が確度の高いことを示した。同じ方法により50-60Gc帯において,導波管理め込み形のダイオードの測定を行ない,ゼロバイアス点でしゃ断周波数が800Gcであることを確かめ,ミリ波領域でのパラメトリック動作が可能であることを示した;図11 表1 参12

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイオード ,  マイクロ波測定 ,  バイアス ,  しゃ断周波数 ,  バラクタ