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J-GLOBAL ID：201602002976208978   整理番号：74A0239443

分子ビーム法によるガリウムひ索をドープしたシリコンのエピタクシー

Epitaxy of silicon doped gallium arsenide by molecular beam method.

著者 (2件)： CHO A Y ,  HAYASHI I
資料名： Metall Trans  (Metallurgical Transactions)
巻： 2  号： 3  ページ： 777-780  発行年： 1971年 
JST資料番号： E0265B  CODEN： MTGTB   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビーム法は均一性と厚さを正確にコントロールした100Aから数ミクロンの範囲の高純度単結晶薄膜を成長させるために使われる万能な実験技術である。この実験技術を使って(100)面上にGaAsを気相成長させ,このGaAsの蒸着中に別のソースからシリコンを層時に蒸発させて薄膜をSiでドープすることが可能であることを不す。また分子ビームエピタクシは一定のドーピングプロファイルを作ることができるという点を示す。室温でのフォトルミネッセンススペクトルの形状,すなわちエネルギー位置と半値幅はフローテイングゾーン法で成長させた結晶と同じであった;写図6参14

シソーラス用語： エピタクシー ,  ガリウム ,  ひ素 ,  蒸着 ,  薄膜 ,  半導体
準シソーラス用語： ドープ

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビーム ,  ガリウム ,  索 ,  ドープ ,  シリコン ,  エピタクシー