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J-GLOBAL ID：201602002981604385   整理番号：71A0242419

GaAsダイオードのスーパールミネセンスの研究

Исследование суперлюминесоеноии диода из арсенида галлия.

著者 (5件)： КУРБАТОВ Л Н ,  ШАХИДЖАНОВ С С ,  БИСТРОВА Л В ,  КРАПУХИН В В ,  КОЛОНЕНКОВА С И
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 11  ページ： 2025-2031  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 逆結合なしで誘導放出方式下で動作する注入ダイオードについてしらべた。発光は非可干渉的であった。スペクトル線の幅は20A,偏光度は90%であった。レーザとの比較をした。電流光度特性をしらべた;写図8表1参10

シソーラス用語： ルミネセンス ,  半導体レーザ
準シソーラス用語： GaAs ,  GaAsダイオード ,  スーパールミネセンス ,  注入型ダイオード

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  ダイオード ,  ルミネセンス ,  研究