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J-GLOBAL ID：201602002992724170   整理番号：65A0023828

イオン照射したシリコンのP形表面層

p-Type surface layers in ion-bombarded silicon.

著者 (3件)： AMADEI L ,  GERETH R ,  QUEISSER H J
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 36  号： 5  ページ： 1537-1542  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 水素とフォスフィンまたはジボランの混合物のグロー放電によって,400°~900°Cの温度範囲でシリコンにイオン照射した。試料にはPをドープした引上法単結晶の(111)面または(100)面を用いた。700°C以下の温度で,200ΩcmのN型シリコンに照射すると,ガスの組成に関係なく0.5~2.5μの深さのP形層が表面にできる。P形層のアクセプタ濃度はNa(x)=N₀exp(-x/L)で表わされ,照射温度を500°~650°Cに上げると,N₀は3.5×10¹⁶cm^-3から4×10¹⁸cm^-3に増加する。減衰定数Lは0.2の値が得られた。P形層はアクセプタとして作用する空格子点によることが示される写2図6参35

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン照射 ,  シリコン ,  表面層