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J-GLOBAL ID：201602003018123645   整理番号：66A0196904

麗トランジスタかける変位損傷(1)

Displacement damage in VS transistors.

著者 (3件)： MESSENGER G C ,  STEELE E J ,  NEUSTADT M
資料名： IEEE Trans Nucl Sci  (IRE Transactions on Nuclear Science)
巻： NS12  号： 5  ページ： 78-82  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 中性子線を照射したときのMOS素子の特性の変化を観測した。揖傷の機構としては,(1)表面準位の増加,(2)下地比抵抗0減少。(3)f-ャネルKおける移動度の減少が考えられた。下地比抵抗の変化は,下地比抵抗が小さければ重妥であるが,通常の場合は,表面の効果の方が重要であった。S101中KI・いては,どんな場合にも,正の電荷が増加した。これは。正のイオンが形成されることによることがわかった。実験は,10keV以上のエネルギー・Z)中性子を,5xlO”~5.8×1015nvt O範囲で照射し,ターン・オン電圧,相互コンダクタンス,ゲート下地間容量の変化を測定した;図8参4

タイトルに関連する用語 (2件)： トランジスタ ,  変位損傷