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J-GLOBAL ID：201602003019722208   整理番号：72A0041907

半導体における注入された少数キャリアの寿命測定装置

Установка для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках.

著者 (2件)： ШМИДТ В А ,  ЦЕЛИЩЕВ В А
資料名： Tr Leningradskogo Politek  (Trudy Leningradskogo Politekhnicheskogo Instituta im. M. I. Kalinina)
号： 325  ページ： 105-111  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0341A  CODEN： TLPIA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 半導体における注入された少数キャリアを3μseCから10seCの範囲で測定出来る装置を提示する。刺激光パルス発生の遅延回路を使うことにより寿命測定プロセスの容易化と測定精度の増大が可能となった。特に寿命の温度変化を測定する便利を計らってある。Ge,Siの場合について他の方法による寿命測定を比較して一致を確めた;写図5参5

シソーラス用語： キャリア寿命 ,  ゲルマニウム
準シソーラス用語： キャリア寿命測定装置 ,  シリコン

タイトルに関連する用語 (3件)： 注入 ,  少数キャリア ,  寿命測定