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J-GLOBAL ID：201602003028314651   整理番号：71A0154812

うすい酸化けい素膜中の水素化物と水酸基

Hydrides and hydroxyls in thin silicon dioxide films.

著者 (2件)： BECKMANN K H ,  HARRICK N J
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 118  号： 4  ページ： 614-619  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽極的および熱的に成長させた酸化けい素膜中の水素化物およびOHグループの量を反射式赤外分光法により求めた。先ず陽極膜中に見出されるOHグループの起源は電解液中の水であり,Si-SiO,界面への濃度増加はこの界面へのOHグループの移動を示し,これがSiの酸化をもたらす,一方熱的に生長させた膜中に存在する水素原子は酸化に使われる酸素中に含まれる水がソースであり,膜中ではOHまたはSiHの形になってるが,界面近くでのoxの減少とSiHの増加はOHとSiによるSiOとSiHの生成プロセスを示唆;写図7表2参24

シソーラス用語： 酸化けい素 ,  水素化物 ,  薄膜
準シソーラス用語： SiO₂ ,  酸化けい素(薄膜) ,  酸化けい素薄膜 ,  水酸基 ,  水酸基(酸化けい素薄膜) ,  水素化物(酸化けい素薄膜) ,  薄膜(SiO₂)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化けい素膜 ,  水素化物 ,  水酸基