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J-GLOBAL ID：201602003074513944   整理番号：74A0043825

GaNの成長と形態

Growth and morphology of GaN.

著者 (1件)： EJDER E
資料名： J Cryst Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 22  号： 1  ページ： 44-46  発行年： 1974年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNの単結晶を1000-1150°CでGaとNH,との反応によって・滋から成長させた。ひげ状,針状,小板状,プリズム状などの縞ll:かテられその形態を観察。X線によって格予定数を測定し,a二3・td1ニー5.i7sAを得た。GaNのウルッ鉱型構造の安定性は理想的’31・ツ鉱型構造からのひずみに関連している。ウルツ鉱型以外の構遺・二みられなかった;写図1参14

シソーラス用語： X線回折 ,  アンモニア ,  ガリウム ,  格子定数 ,  結晶形態 ,  単結晶 ,  熱分解法
準シソーラス用語： ウルツ型構造 ,  窒化ガリウム

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  成長 ,  形態