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J-GLOBAL ID：201602003088106888   整理番号：70A0040581

大量ドープしたGe中のイオン化不純物による電子の異方的散乱の理論

К теорий анизотропного рассеяния электронов на ионизировзнных примесях в сильно легированном германии.

著者 (3件)： КАТАНА И К ,  ДЕРНОВИЧ Н В ,  ТИРОН Ш Д
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 6  ページ： 1147-1151  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 大量にドープしたN形Ge中の電子の不純物散乱による緩和時間テンソル成分を不純物イオン心の効果を考慮して計算した。格子散乱とイオン化不純物散乱が共存する場合に,As,P,Sb各不純物についてホール移動度の温度変化を求めた。イオンの個性を考慮することにより.実験との一致はかなり良くなった;写図2参26

シソーラス用語： ゲルマニウム
準シソーラス用語： 不純物散乱

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  Ge ,  イオン化 ,  不純物 ,  電子 ,  散乱 ,  理論