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J-GLOBAL ID：201602003121175025   整理番号：71A0037930

GaSeにおける直接電極間トンネル効果

Direct interelectrode tunneling in GaSe.

著者 (3件)： KURTIN S L ,  McGILL T C ,  MEAD C A
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 3  号： 10  ページ： 3368-3379  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaSeの薄膜を用いたトンネル電流の研究にほぼ理想的と思われる実験の構想が組み立てられた。これらの講図では,電流に関連した全パラメーターが独立に決定された。固体の禁制ギャップ内のエネルギー運動量分布の関係を決定する新しい解析技術が論じられ,金属一GaSe-金属構造から得られた電流一電圧データに応用された。得られたE-Rの関係はGaAsの本来の性質によるものであることが示された;写図8参31

シソーラス用語： トンネル効果 ,  薄膜
準シソーラス用語： GaSe ,  MSM構造 ,  エネルギー-運動量分布

タイトルに関連する用語 (2件)： GaSe ,  トンネル効果