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J-GLOBAL ID：201602003124630882   整理番号：65A0016518

”長い” Si P-π-Nダイオードの負性抵抗観測

Observation of negative resistance in long silicon p-π-n diodes.

著者 (3件)： MAYER J W ,  BARON R ,  MARSH O J
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 6  号： 2  ページ： 38-40  発行年： 1965年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 長い順方向バイアスP-π-N構造で-40°C以下の温度でI-V特性に負性抵抗の出現を観測した。Geフィルター通過光(hν<Eg〓1.1eV)照射によるしきい値電圧の減少,高電流データの定量的解析の結果,この負性抵抗はLamportの予測と一致することが示される;図2参15

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ダイオード ,  負性抵抗 ,  観測