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J-GLOBAL ID：201602003132773838   整理番号：70A0034194

Al薄膜導体の電気移動損傷

Electromigration damage in aluminum film conductors.

著者 (2件)： ATTARDO M J ,  ROSENBERG R
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 6  ページ： 2381-2386  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大結晶粒と細結晶粒Al薄膜の電気移動を調べ細結晶粒膜は種々の方位とニ2μの粒径により特徴付けられ,大結晶粒膜は選別方位98%<111>と=8μの粒径を持っていることがわかった。大結晶粒膜から作られたストライプは細結晶粒膜から作られたストライプより長寿命,高活性化エネルギー及び寿命分布の低い標準偏差を持っている。これらの結果を両薄膜中のフラックス発散の性質を用いて解釈する;写図10参16

シソーラス用語： アルミニウム ,  ボイド ,  格子欠陥 ,  結晶粒度 ,  選択方位 ,  破壊 ,  薄膜
準シソーラス用語： 電気移動

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  薄膜 ,  導体 ,  電気移動 ,  損傷