抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
アイソバリックアナログ状態のE1相互作用による励起と1次禁止ベータ崩壊との理論的関係について一般論を行ない,実験による比較を行なった。この比較は
207Tl→
207Pb,
209Pb→
209Biのベータ崩壊を電子線型加速器を用いた
207Pb(e,e’P),
209Bi(e,e’p)の結果を解析して行なわれた。(e,e’p)反応の断面積には明確にE1アイソバリックアナログ状態が見出され,その断面積からこの状態のE1マトリックスエレメントが求められた。結果は有効電荷に換算してマトリックスエレメントが求められた。結果は有効電荷に換算して
207Pbの場合0.56,
209Biの場合21である。これらの値を用いて対応するベータ崩壊のマトリックスエレメント|iξ〓∫〓γ〓|を計算した。これらの実験結果を前記ベータ崩壊の殻模型による理論計算と比較すると,
207Tlのベータ崩壊に関しては一致は良いが,
209Pbの場合は実験値の方が非常に大きい。これは
209Pbの場合はスピンフリップ遷移で理論上弱い事が示めされているにもかかわらず実験値は正常の遷移と同程強いためであることが指摘してある(著者);写図3表3参13