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J-GLOBAL ID：201602003167655218   整理番号：69A0225322

半導体デバイスにおけるAl配線の電気泳動故障モード

Electromigration failure modes in aluminum metallization for semiconductor devices.

著者 (1件)： BLACK J R
資料名： Proc IEEE  (Proceedings of the IRE)
巻： 57  号： 9  ページ： 1587-1594  発行年： 1969年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスのAl蒸着配線には二つの故障モードがあり,この一つとも伝導電子と金属イオンの間の運動量交換による質量輸送に関連したものである。その一つは,A1中の空位が集ってボイドを生ヒ,電気的接続が断となるものであり,他の一つはSiがAlの中に溶けてS沖にエッチピットが生じ,Al導体の下にSi-Al界面から溶質イオンが移動してくるものである。この現象はどんどん進行しエッチピットがSiの中に深く成長し,下の接合を短絡してしまうことになる。これらの現象を実験的に観察し,機構を解析した;写図12参27

シソーラス用語： 電気泳動
準シソーラス用語： AI配線 ,  Al配線 ,  Al配線(故障機構/電気泳動) ,  故障機構 ,  電気泳動(AI配線/故障機構)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体デバイス ,  Al ,  電気泳動 ,  故障モード