文献

J-GLOBAL ID：201602003189614469   整理番号：71A0027388

α-SiC純粋結晶の作製

The preparation of pure crystals of α-SiC.

著者 (2件)： KAPTEYNS C J ,  KNIPPENBERG W F
資料名： J Cryst Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 7  号： 1  ページ： 20-28  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に純粋なものと添加物を含む炭化けい素の六方晶育成のための新しい技術を述べた。10i6/cm3の数倍を越えない,故意でない不純物を含む結晶が簡単で再現性ある方法で得られた。その結晶は主にポリタイプ6Hで,5-10%が15R型である。さらに高い純度の結晶を得る観点からその方法の改善を示した;写図6表2参12

シソーラス用語： ポリタイプ ,  結晶成長 ,  炭化けい素
準シソーラス用語： SiC

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶 ,  作製