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J-GLOBAL ID：201602003240195379   整理番号：65A0018908

四層トリオ-ドの高電流密度許容範囲について

Uber den Durchlassbereich von Vierschichtentrioden bei hohen Stromdichten.

著者 (1件)： GERLACH W
資料名： Z Angew Phys  (Zeitschrift fuer Angewandte Physik)
巻： 19  号： 3  ページ： 196-202  発行年： 1965年 
JST資料番号： E0428A  ISSN： 0044-2283  CODEN： ZAPHA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU) 

抄録/ポイント： 四層トリオードの許容範囲の実験で,電流電圧に対する二次式J=S²(U-U₀)²〓U〓0.8V S〓・〓;C=一定を導いた。この結果は,NAKAGAWAの理論と一致した。しかしこの理論は半導体内部の再結合を説明できなかった。また導入した理論で説明できない比抵抗ρnのこう配Sの依存性の原因を,PNの拡散による変化S₁のエミッタ作用の度合におよぼすN形に添加したベースの影響によると考えられた許容範囲外の大電流の場合は,電流電圧に対する上記の実験式からはずれる。このはずれの根本原因は,電子ーホールの散乱による移動度の減少と考えた;図12表3参20

タイトルに関連する用語 (3件)： 四層 ,  高電流密度 ,  許容範囲