文献
J-GLOBAL ID：201602003316762090 整理番号：64A0176179
トランジスタによるダイオードのシミュレーション
The simulation of diodes with transistors.
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GUMN P G
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資料名：
Proc IEEE (Proceedings of the IRE)
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巻：
52
号：
9
ページ：
1070-1071
発行年：
1964年
JST資料番号：
D0378A
ISSN：
0018-9219
CODEN：
IEEPAD
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ダイオードをトランジスタでシミュレートする理由を最初に概説したのち,この目的に利用できるトランジスタの5通りの結線法,すなわち1)エミッタ・ペース間を使用することにしてコレクタを開放する,2)同上,ただしエミッタ・コレクタ短絡,3)同上,ただしペース・コレクタ短絡,4)ペース・コレクタ間を使用してエミッタ開放,5)同上,ただしエミッタ・ペース間短絡,の各場合につき飽和電流,破壊電圧,接合容量,回復遅延時間などの量を表の形にまとめた;図1表2
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